品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號(hào):PMV45EN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:5.4A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 產(chǎn)品類型:其他
≥3000 個(gè)
￥0.75
品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):CPH6424-TL-E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:3A | 最大源漏電壓Vds:60V
≥3000 個(gè)
￥0.65
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SJ463A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個(gè)
￥0.30
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SJ357-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-3A | 最大源漏電壓VDSS:-30V | 應(yīng)用范圍:其他
≥1000 個(gè)
￥1.30
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K2837 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500
￥5.50
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TTK2837 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:** | 跨導(dǎo):** | 開啟電壓:** | 夾斷電壓:** | 低頻噪聲系數(shù):** | 極間電容:** | 最大耗散功率:**
≥500 個(gè)
￥5.50