參數(shù)資料
型號： CLY10
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz)
中文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： CLY10
GaAs FET
CLY 10
_________________________________________________________________________________________________________
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 3/7
17.12.96
HL EH PD 21
Compression Power vs. Drain-Source Voltage
f = 1.8GHz; IDS = 0.5 IDSS
η
D
P1dB
0
5
10
15
20
25
30
35
40
[dBm]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
10
20
30
40
50
60
70
80
[%]
[V]
Drain-Source Voltage
Small Signal Gain
P1dB
0
2
4
6
8
10
12
16
[dB]
14
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
[W]
[V]
Drain-Source Voltage
Output Characteristics
Drain-Source Voltage [V]
D
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
0
1
2
3
4
5
6
VGS=0V
VGS=-0.5V
VGS=-1V
VGS=-1.5V
VGS=-2V
VGS=-2.5V
PtotDC
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PDF描述
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