參數(shù)資料
型號： CY7C1069AV33-10BAC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 2M x 8 Static RAM
中文描述： 2M X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA60
封裝： 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-60
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 460K
代理商： CY7C1069AV33-10BAC
CY7C1069AV33
Document #: 38-05255 Rev. *G
Page 7
Switching Waveforms
Figure 5. Read Cycle No. 1[13, 14]
Figure 6. Read Cycle No. 2 (OE Controlled)[14, 15]
Notes
13. Device is continuously selected. CE1 = VIL, CE2 = VIH.
14. WE is HIGH for Read cycle.
15. Address valid prior to or coincident with CE1 transition LOW and CE2 transition HIGH.
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
tRC
tAA
tOHA
ADDRESS
DATA OUT
50%
DATA VALID
tRC
tASCE
tDOE
tLZOE
tLZSCE
tPU
HIGH IMPEDANCE
tHZOE
tPD
HIGH
OE
CE1
IMPEDANCE
ADDRESS
DATA OUT
VCC
SUPPLY
tHZSCE
CURRENT
ICC
ISB
CE2
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1069AV33 2M x 8 Static RAM
CY7C109BL-15VC 128K x 8 Static RAM
CY7C109BL-15VI 128K x 8 Static RAM
CY7C109BL-15ZC 128K x 8 Static RAM
CY7C1157V18-333BZC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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CY7C1069AV33-10ZXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M x 8 CPG IND Fast Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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