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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1069AV33-10ZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 8 Static RAM |
| 中文描述： | 2M X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO54 |
| 封裝： | LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 393K |
| 代理商： | CY7C1069AV33-10ZXI |
CY7C1069AV33
Document #: 38-05255 Rev. *F
Page 9 of 9
Document History Page
Document Title: CY7C1069AV33 2M x 8 Static RAM
Document Number: 38-05255
REV.
**
*A
*B
ECN NO.
113724
117060
117990
Issue
Date
03/27/02
07/31/02
08/30/02
Orig. of
Change
NSL
DFP
DFP
Description of Change
New Data Sheet
Removed 15-ns bin
Added 8-ns bin
Changing I
CC
for 8, 10, 12 bins
t
power
changed from 1
μ
s to 1 ms
Load Cap Comment changed (for Tx line load)
t
SD
changed to 5.5 ns for the 10-ns bin
Changed some 8-ns bin #'s (t
HZ
, t
DOE
, t
DBE
)
Removed hz < lz comments
Final Data Sheet
Added note 4 to “AC Test Loads and Waveforms” and note 7 to t
pu
and t
pd
Updated Input/Output Caps (for 48BGA only) to 8 pf/10 pf and for the 54-pin
TSOP to 6/8 pf
Changed ISB1 from 100 mA to 70 mA
Shaded the 48fBGA product offering information
Changed the Logic Block Diagram On page # 1
Added notes under Pin Configuration
Changed the Package diagram of 51-85162 from Rev *A to Rev *D
Changed 48-Ball FBGA to 60-Ball FBGA in Pin Configuration
Updated the Ordering Information
Removed 8 ns speed bin from product offering
Changed the description of I
IX
from Input Load Current to Input Leakage
Current in DC Electrical Characteristics table
Updated the Ordering Information
*C
120385
11/13/02
DFP
*D
124441
2/25/03
MEG
*E
403984
See ECN
NXR
*F
492137
See ECN
NXR
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1069AV33-12ZXC | 2M x 8 Static RAM |
| CY7C1069AV33-12ZXI | 2M x 8 Static RAM |
| CY7C106 | 256K x 4 Static RAM(256K x 4 靜態(tài) RAM) |
| CY7C1006 | 256K x 4 Static RAM(256K x4 靜態(tài) RAM) |
| CY7C1146V18 | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1069AV33-10ZXIT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2M x 8 CPG IND Fast Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1069AV33-12ZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| CY7C1069AV33-12ZI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1069AV33-12ZXC | 功能描述:IC SRAM 16MBIT 12NS 54TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CY7C1069AV33-12ZXCT | 功能描述:IC SRAM 16MBIT 12NS 54TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
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