參數(shù)資料
型號： CY7C1069AV33-12ZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 2M x 8 Static RAM
中文描述： 2M X 8 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO54
封裝： LEAD FREE, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大小： 393K
代理商： CY7C1069AV33-12ZXC
CY7C1069AV33
Document #: 38-05255 Rev. *F
Page 6 of 9
Write Cycle No. 1 (CE
1
Controlled)
[16, 17, 18]
Write Cycle No. 2 (WE Controlled, OE LOW)
[16, 17, 18]
Switching Waveforms
(continued)
t
HD
t
SD
t
SCE
t
SA
t
HA
t
AW
t
PWE
t
WC
BW
DATAI/O
ADDRESS
CE
WE
t
t
HD
t
SD
t
SCE
t
HA
t
AW
t
PWE
t
WC
DATA I/O
ADDRESS
CE
WE
t
SA
t
LZWE
t
HZWE
Truth Table
CE
1
H
X
L
L
L
CE
2
X
L
H
H
H
OE
X
X
L
X
H
WE
X
X
H
L
H
I/O
0
–I/O
7
Mode
Power
High-Z
High-Z
Data Out
Data In
High-Z
Power-down
Power-down
Read All Bits
Write All Bits
Selected, Outputs Disabled
Standby (I
SB
)
Standby (I
SB
)
Active (I
CC
)
Active (I
CC
)
Active (I
CC
)
Notes:
16.Data I/O is high-impedance if OE = V
.
17.If CE
goes HIGH/CE
LOW simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high–impedance state.
18.CE above is defined as a combination of CE
1
and CE
2
. It is active low.
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1069AV33-12ZXI 2M x 8 Static RAM
CY7C106 256K x 4 Static RAM(256K x 4 靜態(tài) RAM)
CY7C1006 256K x 4 Static RAM(256K x4 靜態(tài) RAM)
CY7C1146V18 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-333BZXC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1069AV33-12ZXCT 功能描述:IC SRAM 16MBIT 12NS 54TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1069AV33-15BAI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:16MB- (2MX8) FAST ASYNCH SRAM 3.3V FBGA48 - Bulk
CY7C1069AV33-15ZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:16MB- (2MX8) FAST ASYNCH SRAM 3.3V TSOP II 54 - Bulk
CY7C1069AV33-15ZI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:16MB- (2MX8) FAST ASYNCH SRAM 3.3V TSOP II 54 - Bulk
CY7C1069AV33-8ZXC 功能描述:IC SRAM 16MBIT 8NS 54TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
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