參數(shù)資料
型號(hào): CY7C106L-15VC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: SRAM
英文描述: 256K X 4 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO28
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
文件頁(yè)數(shù): 5/9頁(yè)
文件大小: 251K
代理商: CY7C106L-15VC
CY7C106
CY7C1006
Document #: 38-05033 Rev. **
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Data Retention Characteristics Over the Operating Range (L Version Only)
Parameter
Description
Conditions[10]
Min.
Max.
Unit
VDR
VCC for Data Retention
2.0
V
ICCDR
Data Retention Current
VCC = VDR = 2.0V,
CE > VCC – 0.3V,
VIN > VCC – 0.3V or
VIN < 0.3V
50
A
tCDR
Chip Deselect to Data Retention Time
0
ns
tR
Operation Recovery Time
tRC
ns
Data Retention Waveform
4.5V
CE
VCC
tCDR
VDR > 2V
DATA RETENTION MODE
tR
C106–5
Switching Waveforms
Read Cycle No.1[11, 12]
Read Cycle No. 2 (OE Controlled)[12, 13]
Notes:
10. No input may exceed VCC +0.5V.
11. Device is continuously selected, OE and CE = VIL.
12. WE is HIGH for read cycle.
13. Address valid prior to or coincident with CE transition LOW.
1
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
tRC
tAA
tOHA
ADDRESS
DATA OUT
C106–6
C106–7
50%
DATA VALID
tRC
tACE
tDOE
tLZOE
tLZCE
tPU
HIGH IMPEDANCE
IMPEDANCE
ICC
ISB
tHZOE
tHZCE
tPD
HIGH
ADDRESS
CE
DATA OUT
VCC
SUPPLY
CURRENT
OE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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CY7C1079DV33-12BAXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 32MB (4Mx8) 3.3v 12ns 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1079DV33-12BAXIT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 32-Mbit Static RAM 12ns 250mA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray