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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1177V18-300BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 2M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 23/27頁 |
| 文件大小： | 648K |
| 代理商： | CY7C1177V18-300BZI |
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CY7C1166V18, CY7C1177V18
CY7C1168V18, CY7C1170V18
Document Number: 001-06620 Rev. *D
Page 5 of 27
Pin Configurations (continued)
CY7C1168V18 (1M x 18)
165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
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NC/72M
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NC/144M
DQ9
NC
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NC
A
NC/288M
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ANC
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DQ10
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VDD
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DQ11
NC
VDDQ
NC
DQ14
NC
DQ16
DQ17
A
VDDQ
VSS
VDDQ
VDD
DQ13
VDDQ
VDD
VDDQ
VDD
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VSS
A
NC
VSS
A
NC
VSS
NC
VSS
DQ12
NC
VREF
VSS
VDD
VSS
A
VSS
QVLD
NC
DQ15
NC
VDD
A
89
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DQ0
A
NC/36M
LD
CQ
A
NC
DQ8
VSS
NC
DQ7
NC
VSS
NC
DQ6
NC
VREF
NC
DQ3
VDDQ
NC
VDDQ
NC
DQ5
VDDQ
NC
VDDQ
NC
DQ4
NC
VDDQ
NC
VSS
NC
TDI
TMS
VSS
A
NC
A
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ZQ
NC
DQ2
NC
DQ1
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CY7C1170V18 (512K x 36)
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DOFF
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NC/144M NC/36M
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VSS
VDDQ
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NC
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ZQ
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DQ2
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DQ11
DQ9
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A
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