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參數資料
| 型號： | CY7C1177V18-300BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 2M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數： | 6/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 648K |
| 代理商： | CY7C1177V18-300BZI |
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CY7C1166V18, CY7C1177V18
CY7C1168V18, CY7C1170V18
Document Number: 001-06620 Rev. *D
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TAP Controller State Diagram
Figure 2. Tap Controller State Diagram
TEST-LOGIC
RESET
TEST-LOGIC/
IDLE
SELECT
DR-SCAN
CAPTURE-DR
SHIFT-DR
EXIT1-DR
PAUSE-DR
EXIT2-DR
UPDATE-DR
SELECT
IR-SCAN
CAPTURE-IR
SHIFT-IR
EXIT1-IR
PAUSE-IR
EXIT2-IR
UPDATE-IR
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
Note
9. The 0/1 next to each state represents the value at TMS at the rising edge of TCK.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1177V18-300BZXC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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