參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1362B-225BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM
中文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 19/34頁(yè)
文件大?。?/td> 895K
代理商： CY7C1362B-225BZI
CY7C1360B
CY7C1362B
Document #: 38-05291 Rev. *C
Page 19 of 34
3.3V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels........ ........................................V
SS
to 3.3V
Input rise and fall times..................... ..............................1 ns
Input timing reference levels...........................................1.5V
Output reference levels...................................................1.5V
Test load termination supply voltage...............................1.5V
3.3V TAP AC Output Load Equivalent
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels.................................................V
SS
to 2.5V
Input rise and fall time .....................................................1 ns
Input timing reference levels.........................................1.25V
Output reference levels ................................................1.25V
Test load termination supply voltage ............................1.25V
2.5V TAP AC Output Load Equivalent
TDO
1.5V
20pF
Z = 50
50
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
50
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < T
A
< +70°C; V
DD
= 3.3V ±0.165V unless otherwise noted)
[12]
Parameter
V
OH1
Description
Output HIGH Voltage
Conditions
Min.
2.4
2.0
2.9
2.1
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
I
OH
= –4.0 mA
I
OH
= –1.0 mA
I
OH
= –100 μA
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
OH2
Output HIGH Voltage
V
OL1
Output LOW Voltage
I
OL
= 8.0 mA
I
OL
= 8.0 mA
I
OL
= 100 μA
0.4
0.4
0.2
0.2
V
OL2
Output LOW Voltage
V
IH
Input HIGH Voltage
2.0
1.7
–0.5
–0.3
–5
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.7
0.7
5
V
IL
Input LOW Voltage
I
X
Note:
12.All voltages referenced to V
SS
(GND).
Input Load Current
GND < V
IN
< V
DDQ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1362B-200BZI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM
CY7C1362B-200BZC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM
CY7C1362B-200BGI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM
CY7C1362B-225AJC BACKSHELL, MDR, 50WAY, METAL; For use with:Mini D Ribbon 101XX-6000 EC Plug Connectors; Material:Aluminum; Colour:Nickel; Connector type:Backshell; Ways, No. of:50 RoHS Compliant: Yes
CY7C1362B-225AI Plastic Connector Backshell; Connector Shell Size:Black; Enclosure Material:Polyester; Enclosure Color:Black; Features:For: 0.050" D-Miniature D Ribbon Connectors; Leaded Process Compatible:No; No. of Positions:50 RoHS Compliant: No
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1362C-166AJXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx18 3.3V COM Sync PL 1CD 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1362C-166AJXCT 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1362C-166AXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 18 3.5ns 100-Pin TQFP
CY7C1362C-166BZC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1362C-200AJXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx18 3.3V COM Sync PL 1CD 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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