參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1381D-133AXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
中文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100
封裝： 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 14/29頁(yè)
文件大?。?/td> 975K
代理商： CY7C1381D-133AXI
CY7C1381D, CY7C1381F
CY7C1383D, CY7C1383F
Document #: 38-05544 Rev. *F
Page 14 of 29
3.3V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels.................................................V
SS
to 3.3V
Input rise and fall times................................................... 1 ns
Input timing reference levels...........................................1.5V
Output reference levels...................................................1.5V
Test load termination supply voltage...............................1.5V
3.3V TAP AC Output Load Equivalent
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels.................................................V
SS
to 2.5V
Input rise and fall time .....................................................1 ns
Input timing reference levels ........................................ 1.25V
Output reference levels................................................ 1.25V
Test load termination supply voltage ............................ 1.25V
2.5V TAP AC Output Load Equivalent
TDO
1.5V
20pF
Z = 50
50
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
50
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < TA < +70°C; V
DD
= 3.3V ±0.165V unless otherwise noted)
[12]
Parameter
V
OH1
Description
Conditions
Min
2.4
2.0
2.9
2.1
Max
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
Output HIGH Voltage
I
OH
= –4.0 mA
I
OH
= –1.0 mA
I
OH
= –100 μA
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
OH2
Output HIGH Voltage
V
OL1
Output LOW Voltage
I
OL
= 8.0 mA
I
OL
= 8.0 mA
I
OL
= 100 μA
0.4
0.4
0.2
0.2
V
OL2
Output LOW Voltage
V
IH
Input HIGH Voltage
2.0
1.7
–0.3
–0.3
–5
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0.7
5
V
IL
Input LOW Voltage
I
X
Input Load Current
GND < V
IN
< V
DDQ
Note:
12.All voltages referenced to V
SS
(GND).
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1381D-133BZI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
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參數(shù)描述
CY7C1381D-133AXIT 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
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CY7C1381D-133BGXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 165LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1381D-133BZI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1381DV25-133AXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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