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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1413BV18 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 36兆位的國防評估報告⑩- II SRAM的4字突發(fā)結(jié)構(gòu) |
| 文件頁數(shù)： | 17/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1644K |
| 代理商： | CY7C1413BV18 |
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PRELIMINARY
CY7C1411BV18
CY7C1426BV18
CY7C1413BV18
CY7C1415BV18
Document Number: 001-07037 Rev. *B
Page 17 of 28
Scan Register Sizes
Register Name
Instruction
Bypass
ID
Boundary Scan
Bit Size
3
1
32
109
Instruction Codes
Instruction
Code
000
001
Description
EXTEST
IDCODE
Captures the Input/Output ring contents.
Loads the ID register with the vendor ID code and places the register between TDI and
TDO. This operation does not affect SRAM operation.
Captures the Input/Output contents. Places the boundary scan register between TDI
and TDO. Forces all SRAM output drivers to a High-Z state.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Captures the Input/Output ring contents. Places the boundary scan register between
TDI and TDO. Does not affect the SRAM operation.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Places the bypass register between TDI and TDO. This operation does not affect SRAM
operation.
SAMPLE Z
010
RESERVED
SAMPLE/PRELOAD
011
100
RESERVED
RESERVED
BYPASS
101
110
111
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1411BV18 | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1415BV18 | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C145 | 8K x 8 Dual-Port Static RAM(8K x 8 雙端口靜態(tài) RAM) |
| CY7C144 | 8K x 9 Dual-Port Static RAM(8K x 9 雙端口靜態(tài) RAM) |
| CY7C146-25JC | 2Kx8 Dual-Port Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1413BV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1413BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1413JV18-200BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR-II BURST 4 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1413JV18-250BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR-II Burst 4 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1413JV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36-Mbit QDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 4-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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