- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378507 > CY7C1413BV18 (Cypress Semiconductor Corp.) 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1413BV18 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 36兆位的國防評估報(bào)告⑩- II SRAM的4字突發(fā)結(jié)構(gòu) |
| 文件頁數(shù)： | 24/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1644K |
| 代理商： | CY7C1413BV18 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁當(dāng)前第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
PRELIMINARY
CY7C1411BV18
CY7C1426BV18
CY7C1413BV18
CY7C1415BV18
Document Number: 001-07037 Rev. *B
Page 24 of 28
Switching Waveforms
[30, 31, 32]
Read/Write/Deselect Sequence
Notes:
30.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e., A0+1.
31.Outputs are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
32.In this example, if address A2 = A1,then data Q20 = D10 and Q21 = D11. Write data is forwarded immediately as read results. This note applies to the whole diagram.
K
1
2
3
4
5
6
7
RPS
WPS
A
Q
D
C
C
READ
READ
WRITE
WRITE
NOP
NOP
DON’T CARE
UNDEFINED
CQ
CQ
K
A0
A1
tKH
tKHKH
tKL
tCYC
t
tHC
tSA
tHA
A2
SC
t
tHC
SC
A3
tKHCH
tKHCH
tCQD
tCLZ
DOH
tCHZ
t
t
tKL
tCYC
tCCQO
tCCQO
tCQOH
tCQOH
KHKH
KH
Q00
Q03
Q01
Q02
Q20
Q23
Q21
Q22
tCO
tCQDOH
t
tCQH
tCQHCQH
D10
D11
D12
D13
tSD
tHD
tSD
tHD
D30
D31
D32
D33
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1411BV18 | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1415BV18 | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C145 | 8K x 8 Dual-Port Static RAM(8K x 8 雙端口靜態(tài) RAM) |
| CY7C144 | 8K x 9 Dual-Port Static RAM(8K x 9 雙端口靜態(tài) RAM) |
| CY7C146-25JC | 2Kx8 Dual-Port Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1413BV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1413BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1413JV18-200BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx18 QDR-II BURST 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1413JV18-250BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx18 QDR-II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1413JV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 36-Mbit QDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。