參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C2561KV18-450BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 8M X 8 QDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165
封裝： 15 X 13 MM, 1.4 MM HEIGHT, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 8/29頁(yè)
文件大?。?/td> 839K
代理商： CY7C2561KV18-450BZC
PRELIMINARY
CY7C2561KV18, CY7C2576KV18
CY7C2563KV18, CY7C2565KV18
Document Number: 001-15887 Rev. *E
Page 16 of 29
Figure 3. TAP Controller Block Diagram
TAP Electrical Characteristics
Over the Operating Range [14, 15, 16]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Max
Unit
VOH1
Output HIGH Voltage
IOH = 2.0 mA
1.4
V
VOH2
Output HIGH Voltage
IOH = 100 μA1.6
V
VOL1
Output LOW Voltage
IOL = 2.0 mA
0.4
V
VOL2
Output LOW Voltage
IOL = 100 μA0.2
V
VIH
Input HIGH Voltage
0.65VDD VDD + 0.3
V
VIL
Input LOW Voltage
–0.3
0.35VDD
V
IX
Input and Output Load Current
GND
≤ VI ≤ VDD
–5
5
μA
0
1
2
.
29
30
31
Boundary Scan Register
Identification Register
0
1
2
.
108
0
1
2
Instruction Register
Bypass Register
Selection
Circuitry
Selection
Circuitry
TAP Controller
TDI
TDO
TCK
TMS
Notes
14. These characteristics pertain to the TAP inputs (TMS, TCK, TDI and TDO). Parallel load levels are specified in the Electrical Characteristics Table.
15. Overshoot: VIH(AC) < VDDQ + 0.35V (Pulse width less than tCYC/2), Undershoot: VIL(AC) > 0.3V (Pulse width less than tCYC/2).
16. All Voltage referenced to Ground.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C2566KV18-450BZI 8M X 8 DDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165
CY7C293AL-35WC 2K X 8 UVPROM, 35 ns, CDIP24
CY7C474-15DI 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, CDIP28
CY7C474-15PI 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, PDIP28
CZ12010T0050GBK 0 MHz - 3000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C2562XV18-366BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 366MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C2562XV18-450BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25632KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25632KV18-400BZXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25632KV18-450BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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