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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | D640G12VE |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位（8米× 8位/ 4米x 16位），3.0伏的CMOS只，同步讀/寫閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 41/56頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 742K |
| 代理商： | D640G12VE |
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June 6, 2005
Am29DL640G
39
AC CHARACTERISTICS
Word/Byte Configuration (BYTE#)
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std.
Description
70
90
120
Unit
t
ELFL/
t
ELFH
CE# to BYTE# Switching Low or High
Max
5
ns
t
FLQZ
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z
Max
16
ns
t
FHQV
BYTE# Switching High to Output Active
Min
70
90
120
ns
DQ15
Output
Data Output
(DQ7–DQ0)
CE#
OE#
BYTE#
t
ELFL
DQ14–DQ0
Data Output
(DQ14–DQ0)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FLQZ
BYTE#
Switching
from word
to byte
mode
DQ15
Output
Data Output
(DQ7–DQ0)
BYTE#
t
ELFH
DQ14–DQ0
Data Output
(DQ14–DQ0)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FHQV
BYTE#
Switching
from byte
to word
mode
Figure 16.
BYTE# Timings for Read Operations
Note:
Refer to the Erase/Program Operations table for t
AS
and t
AH
specifications.
Figure 17.
BYTE# Timings for Write Operations
CE#
WE#
BYTE#
The falling edge of the last WE# signal
t
HOLD
(t
AH
)
t
SET
(t
AS
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| D640G12VI | 64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
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