人氣最旺的IC交易網(wǎng)
技術(shù)資料
買賣IC網(wǎng) - 電子技術(shù)資料、開發(fā)技術(shù)
首頁
IC現(xiàn)貨
IC急購
產(chǎn)品供應(yīng)
產(chǎn)品求購
生意社區(qū)
我的買賣
搜索：
IC現(xiàn)貨
產(chǎn)品供求
IC現(xiàn)貨
IC求購
熱賣IC
公司信息
↑搜索排行榜
刷新IC
上傳IC
客服電話：
010-87982920
首頁
>
技術(shù)資料
>
其它
（共有
3135
條
其它）
潔凈室要素
人員產(chǎn)生的污染
工藝用水
工藝化學(xué)品污染
化學(xué)氣體污染
潔凈室的物質(zhì)與供給
潔凈室的維護
晶片表面清洗
污染顆粒怎樣去除
晶片刷洗器
高壓水清洗
晶片有機殘余物
無機殘余物
常見的化學(xué)清洗
晶圓氧化層的去除
室溫和氧化的化學(xué)物質(zhì)
水的沖洗
晶圓烘干技術(shù)
芯片污染檢測/總結(jié)
簡易TTL與非門
六管單元TTL與非門
Verilog HDL主要能力
`define 和`undef
`ifdef、`else 和`endif
`default_nettype
芯片制造污染控制關(guān)鍵概念及術(shù)語
工藝良品率概述
工藝良品率測量點
累積晶圓生產(chǎn)良品率
晶圓生產(chǎn)良率的制約因素
晶圓生產(chǎn)良率的制約因素-工藝制程步驟的數(shù)量
硅單晶的定向
硅襯底制備工藝簡介
外延工藝原理
四氯化硅氫氣還原法外延原理
外延輔助工藝
外延層質(zhì)量參數(shù)及檢測簡介
有關(guān)外延層層錯
常見的氧化方法及原理
熱氧化工藝及生長原理討論
擴散原理
擴散方程及擴散雜質(zhì)分布
擴散方法
擴散層質(zhì)量參數(shù)及擴散工藝條件選擇
擴散引起的外延層-襯底界面的雜質(zhì)再分布
離子注入原理及分析
光刻工藝及其工藝要求
光刻缺陷及影響
其它光刻技術(shù)簡介
光刻工藝對光刻版的質(zhì)量要求
上一頁
1
...
42
43
44
45
46
47
48
49
50
...
下一頁
會員服務(wù)
廣告服務(wù)
服務(wù)協(xié)議
免責(zé)條款
歡迎合作
關(guān)于我們
買賣網(wǎng)成長計劃
買賣網(wǎng)電子技術(shù)資料、開發(fā)技術(shù)
由北京輝創(chuàng)互動信息技術(shù)有限公司獨家運營
粵ICP備14064281號
客服群：4031849
交流群：4031839
商務(wù)合作：