參數(shù)資料
型號(hào): DBDD600S65K1
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
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文件大小: 108K
代理商: DBDD600S65K1
Technische Information / Technical Information
DD 600 S 65 K1
Dioden-Module
Diode-Modules
I
F
V
F
[V]
I
R
V
R
[V] (at auxiliary terminals)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
7,0
25°C
125°C
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
0
200
400
600
800
1000
1200
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA)
safe operation area Diode (SOA)
P
max
= 1800kW ;
T
vj
= 125°C
3
DD 600 S65 K1 (final 1).xls
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PDF描述
DBDD800S33K2C20 IGBT Module
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參數(shù)描述
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