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參數(shù)資料
| 型號： | DG2015DN-T1-E4 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL DPDT 16QFN |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| 功能： | 開關(guān) |
| 電路： | 2 x DPDT - NC/NO |
| 導(dǎo)通狀態(tài)電阻： | 1.6 歐姆 |
| 電壓電源： | 單電源 |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 2.7 V ~ 3.3 V |
| 電流 - 電源： | 1µA |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-VQFN 裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 16-QFN（4x4） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
www.vishay.com
4
Document Number: 71971
S13-1282-Rev. D, 27-May-13
Vishay Siliconix
DG2015
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Leakage Current vs. Temperature
Switching Time vs. Temperature
Switching Threshold vs. Supply Voltage
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
1
Temperature (°C)
V+ = 3 V
10
1000
100
INO(off), IINC(off)
ICOM(on)
ICOM(off)
Leakage
Current
(pA)
20
30
40
50
60
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
/
t
ON
-Switching
T
ime
(μ
s)
t
OFF
tOFF V+ = 3 V
Temperature (°C)
tON V+ = 3 V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
012
34
567
V+ - Supply Voltage (V)
-
Switching
Threshold
(V)
V
T
Leakage vs. Analog Voltage
Insertion Loss, Off-Isolation
Crosstalk vs. Frequency
Charge Injection vs. Analog Voltage
- 800
- 600
- 400
- 200
0
200
400
600
800
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VCOM, VNO, VNC - Analog Voltage (V)
Leakage
Current
(pA)
V+ = 3 V
INO(off), IINC(off)
ICOM(off)
ICOM(on)
- 90
100 K
10 M
10
- 70
- 50
100 M
1 G
1 M
Frequency (Hz)
(dB)
Loss
,OIRR,
X
T
ALK
- 30
- 10
LOSS
OIRR
XTALK
V+ = 3 V
RL = 50 Ω
0
5
10
15
20
25
30
0
123
456
VCOM - Analog Voltage (V)
Q
-
Charge
Injection
(pC)
V+ = 3 V
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