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參數(shù)資料
| 型號： | DM-106B |
| 廠商： | Sony Corporation |
| 英文描述： | Magnetoresistance Element |
| 中文描述： | 磁阻元件 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | DM-106B |
—4—
DM-106B
Midpoint potential vs. Magnetic field intensity
4000
12000
0
2.45
2.46
2.47
V
C
-
H-Revolving magnetic field intensity (A/m)
2.48
2.49
2.50
2.51
2.52
2.53
2.54
2.55
V
CC
=5V
1
G
C
1
G
C
8000
16000
Midpoint potential vs. Direction of magnetic-flux incidence
0
2.45
2.46
2.47
V
C
-
θ
-Direction of magnetic-flux incidence (deg)
2.48
2.49
2.50
2.51
2.52
2.53
2.54
2.55
1. V
CC
=5V
H=12000A/m
2. Output
3. GND
45
90
135
180
225
θ
106B
3 2 1
H
Output voltage vs. Magnetic field intensity
12000
16000
0
20
V
O
-
H-Revolving magnetic field intensity (A/m)
40
60
80
100
V
CC
=5V
0
4000
8000
Total resistance, output voltage vs. Temperature
50
60
V
O
-
Ta-Ambient temperature (°C)
70
80
90
100
110
120
H=8000A/m
(Revolving magnetic field)
V
CC
=5V
—50 —25
0
25
50
75 100 125 150
R
T
V
O
1.5
2.0
2.5
3.0
R
T
-
)
Derating Curve
80
120
—40
1
I
I
-
Ta-Ambient temperature (°C)
2
3
4
5
V
CC
=10V
0
0
40
160
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DM-111A | Magneto-Resistance Element |
| DM-231 | Magnetoresistance Element |
| DM-232 | Magnetoresistance Element |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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