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參數資料
| 型號： | DS1216F |
| 廠商： | Maxim Integrated |
| 文件頁數： | 2/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC SMART/ROM 3V 64/256/1M 32DIP |
| 產品培訓模塊： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 標準包裝： | 11 |
| 控制器類型： | Smartwatch ROM |
| 電源電壓： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 32-DIP（0.600"，15.24mm）插口 |
| 供應商設備封裝： | 32-DIP 插口 |
| 包裝： | 管件 |
DS1216 SmartWatch RAM/SmartWatch ROM
10 of 15
CAPACITANCE
(TA = +25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Input Capacitance
CIN
5
pF
Output Capacitance
COUT
7
pF
Expected Data Retention
tDR
10
years
14
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(VCC = 4.5V to 5.5V, TA = 0°C to +70°C.)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle Time
tRC
75
ns
CE
Access Time
tCO
65
ns
OE
Access Time
tOE
65
ns
CE
to Output Low-Z
tCOE
6
ns
OE
to Output Low-Z
tOEE
6
ns
CE
to Output High-Z
tOD
30
ns
OE
to Output High-Z
tODO
30
ns
Address Setup Time (ROM)
tAS
20
11
Address Hold Time (ROM)
tAH
10
12
Read Recovery
tRR
15
ns
Write Cycle Time
tWC
75
ns
Write Pulse Width
tWP
75
ns
Write Recovery
tWR
15
ns
9
Data Setup Time
tDS
35
ns
10
Data Hold Time
tDH
0
ns
10
CE
Pulse Width
tCW
65
ns
RST
Pulse Width
tRST
75
ns
CE
Propagation Delay
tPD
6
ns
7
CE
High to Power-Fail
tPF
0
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R2D12-1212/HP-R | CONV DC/DC 2W +/-12VOUT SMD |
| ISL80103IR18Z-TK | IC REG LDO 1.8V 3A 10DFN |
| R2D12-2415/H-R | CONV DC/DC 2W +/-15VOUT SMD |
| MXD1210EPA+ | IC CNTRLR NVRAM 8-DIP |
| R2D12-2405/H-R | CONV DC/DC 2W +/-5VOUT SMD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| DS1216F-3 | 功能描述:IC SMART/ROM 3V 64/256/1M 32DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 - 控制器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 控制器類型:靜態(tài) RAM（SRAM） 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應商設備封裝:16-SOIC W 包裝:管件 |
| DS1216H | 功能描述:存儲器控制器 SmartWatch RAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated |
| DS1216MP000 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:100A,PLG,2P3W,MG,216,208V |
| DS1216MR000 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:100A,NLT,2P3W,MG,216,208V |
| DS1216MRA00 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:100A,NLT,2P3W,MG,AGL,208V |
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