分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IRF610STRRPBF品牌、價格、PDF參數(shù)

IRF610STRRPBF • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IRF610STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK 0 800:$0.88043
SIR662DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK 0 1:$2.28000
25:$1.75520
100:$1.59250
250:$1.43000
500:$1.23500
1,000:$1.04000
SIR662DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK 0 3,000:$0.87750
6,000:$0.84500
15,000:$0.81250
30,000:$0.79625
75,000:$0.78000
SI4423DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC 0 2,500:$0.90585
IRF610STRRPBF • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.5 歐姆 @ 2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V
功率 - 最大: 3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D2PAK
包裝: 帶卷 (TR)