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參數(shù)資料
| 型號： | EDE2104ABSE-6E-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2G bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA68 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
| 文件頁數(shù)： | 2/81頁 |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | EDE2104ABSE-6E-E |
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EDE2104ABSE, EDE2108ABSE
Preliminary Data Sheet E1196E10 (Ver. 1.0)
2
Ordering Information
Part number
EDE2104ABSE-8G-E
EDE2104ABSE-6E-E
EDE2104ABSE-5C-E
EDE2108ABSE-8G-E
EDE2108ABSE-6E-E
EDE2108ABSE-5C-E
Mask
version
Organization
(words
×
bits)
Internal
Banks
Speed bin
(CL-tRCD-tRP)
DDR2-800 (6-6-6)
DDR2-667 (5-5-5)
DDR2-533 (4-4-4)
DDR2-800 (6-6-6)
DDR2-667 (5-5-5)
DDR2-533 (4-4-4)
Package
B
512M
×
4
8
68-ball FBGA
256M
×
8
Part Number
Elpida Memory
Density / Bank
21: 2Gb / 8-bank
Organization
04: x4
08: x8
Power Supply, Interface
A: 1.8V, SSTL_18
Die Rev.
Package
SE: FBGA
Speed
8G DDR2-800 (6-6-6)
6E: DDR2-667 (5-5-5)
5C: DDR2-533 (4-4-4)
Product Family
E: DDR2
Type
D: Monolithic Device
E D E 21 04 A B SE - 8G - E
Environment code
E: Lead Free
(RoHS compliant)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE2104ABSE-8G-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-5C-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-6E-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-8G-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE2104ABSE-8G-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-8G-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
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