- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384279 > EDE2104ABSE-6E-E (ELPIDA MEMORY INC) 2G bits DDR2 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | EDE2104ABSE-6E-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2G bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA68 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
| 文件頁數(shù)： | 65/81頁 |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | EDE2104ABSE-6E-E |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁當(dāng)前第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁
EDE2104ABSE, EDE2108ABSE
Preliminary Data Sheet E1196E10 (Ver. 1.0)
65
Posted
WRIT
NOP
CK
/CK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T11
Command
DQS, /DQS
DQ
WL = 4
in0
in1
in2
in3
in4
in5
in6
in7
≥
tWR
Completion of
the burst write
PRE
Burst Write Followed by Precharge (WL = (RL-1) = 4,BL= 8)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE2104ABSE-8G-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-5C-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-6E-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-8G-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE2104ABSE-8G-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-8G-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。