- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384279 > EDE2108ABSE-5C-E (ELPIDA MEMORY INC) 2G bits DDR2 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE2108ABSE-5C-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2G bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256M X 8 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA68 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
| 文件頁數(shù)： | 74/81頁 |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | EDE2108ABSE-5C-E |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁當(dāng)前第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁
EDE2104ABSE, EDE2108ABSE
Preliminary Data Sheet E1196E10 (Ver. 1.0)
74
Write with Auto Precharge to Power-Down Entry
CK
/CK
WL
WR*1
WR*1
CK
Command
CKE
DQ
DQS
/DQS
Command
CKE
DQS
/DQS
DQ
/CK
BL=4
BL=8
WRITA
PRE
WRITA
in
0
in
1
in
2
in
3
PRE
WL
T0
Tm+1
Tm+3
Tx
Tx+1
Tx+2
Tx+3
T1
Tm
Tm+2
Tx+4
Tx+5
Tx+6
Note: 1. WR is programmed through MRS
T0
Tm+1
Tm+3
Tm+4
Tm+5
Tx
Tx+1
T1
Tm
Tm+2
Tx+2
Tx+3
Tx+4
in
0
in
1
in
2
in
3
in
4
in
5
in
6
in
7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE2108ABSE-6E-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-8G-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ABSE | 256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ABSE-5C-E | 256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2516ABSE-5C-E | 256M bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE2108ABSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-8G-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108AEBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free |
| EDE2108AEBG-8E-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free |
| EDE2116ABSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。