參數(shù)資料
型號(hào)： EP2AGX190FF35I5N
廠商： Altera
文件頁(yè)數(shù)： 69/90頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC ARRIA II GX 190K 1152FBGA
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Three Reasons to Use FPGA's in Industrial Designs
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3
系列： Arria II GX
LAB/CLB數(shù)： 7612
邏輯元件/單元數(shù)： 181165
RAM 位總計(jì)： 10177536
輸入/輸出數(shù)： 612
電源電壓： 0.87 V ~ 0.93 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 100°C
封裝/外殼： 1152-BBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 1152-FBGA（27x27）
Chapter 1: Device Datasheet for Arria II Devices
1–63
Switching Characteristics
December 2013
Altera Corporation
tTX_JITTER (4)
True LVDS with
dedicated
SERDES
(data rate
600–1,250
Mbps)
—
175
—
175
—
225
—
300
ps
True LVDS with
dedicated
SERDES
(data rate
< 600 Mbps)
—
0.105
—
0.105
—
0.135
—
0.18
UI
True LVDS and
emulated
LVDS_E_3R
with logic
elements as
SERDES (data
rate 600
– 945 Mbps)
—
260
—
260
—
300
—
350
ps
True LVDS and
emulated
LVDS_E_3R
with logic
elements as
SERDES
(data rate
< 600 Mbps)
—
0.16
—
0.16
—
0.18
—
0.21
UI
tTX_DCD
True LVDS and
emulated
LVDS_E_3R
45
55
45
55
45
55
45
55
%
tRISE and tFALL
True LVDS and
emulated
LVDS_E_3R
—
200
—
200
—
225
—
250
ps
TCCS
True LVDS (5)
—
150
—
150
—
175
—
200
ps
Emulated
LVDS_E_3R
—
200
—
200
—
250
—
300
ps
Receiver (6)
True differential
I/O standards -
fHSDRDPA (data
rate)
SERDES factor
J = 3 to 10
150
1250
150
1250
150
1050
150
840
Mbps
Table 1–53. High-Speed I/O Specifications for Arria II GX Devices (Part 3 of 4)
Symbol
Conditions
I3
C4
C5,I5
C6
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EP2AGX190FF35C4N IC ARRIA II GX 190K 1152FBGA
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EP2AGX190EF29I3N IC ARRIA II GX FPGA 190K 780FBGA
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參數(shù)描述
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EP2AGX260EF29C5 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 FPGA - Arria II GX 10260 LABs 372 IO RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256
EP2AGX260EF29C5N 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 FPGA - Arria II GX 10260 LABs 372 IO RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256
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