Copyright Cirrus Logic, Inc. 2011 (All Rights Reserved) 21 EP7312 High-Performance, Low-Power S" />
參數(shù)資料
型號(hào)： EP7312-CB
廠商： Cirrus Logic Inc
文件頁(yè)數(shù)： 14/54頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC ARM720T MCU 74MHZ 256-PBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： EP7
核心處理器： ARM7
芯體尺寸： 32-位
速度： 74MHz
連通性： 編解碼器，DAI，EBI/EMI，IrDA，鍵盤(pán)，SPI/Microwire1，UART/USART
外圍設(shè)備： LCD，LED，MaverickKey，PWM
輸入/輸出數(shù)： 27
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型： ROMless
RAM 容量： 56K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.3 V ~ 2.7 V
振蕩器型： 外部
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 256-BGA
包裝： 托盤(pán)
配用： 598-1209-ND - KIT DEVELOPMENT EP73XX ARM7
其它名稱(chēng)： 598-1232
DS508F2
Copyright Cirrus Logic, Inc. 2011
(All Rights Reserved)
21
EP7312
High-Performance, Low-Power System on Chip
Static Memory
Figure 7 through Figure 10 define the timings associated with all phases of the Static Memory. The following table contains the
values for the timings of each of the Static Memory modes.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
EXPCLK rising edge to nCS assert delay time
tCSd
2
8
20
ns
EXPCLK falling edge to nCS deassert hold time
tCSh
2
7
20
ns
EXPCLK rising edge to A assert delay time
tAd
4
9
16
ns
EXPCLK falling edge to A deassert hold time
tAh
310
19
ns
EXPCLK rising edge to nMWE assert delay time
tMWd
3
6
10
ns
EXPCLK rising edge to nMWE deassert hold time
tMWh
3
6
10
ns
EXPCLK falling edge to nMOE assert delay time
tMOEd
3
7
10
ns
EXPCLK falling edge to nMOE deassert hold time
tMOEh
2
7
10
ns
EXPCLK falling edge to HALFWORD deassert delay time
tHWd
2
8
20
ns
EXPCLK falling edge to WORD assert delay time
tWDd
2
8
16
ns
EXPCLK rising edge to data valid delay time
tDv
813
21
ns
EXPCLK falling edge to data invalid delay time
tDnv
615
30
ns
Data setup to EXPCLK falling edge time
tDs
--
1
ns
EXPCLK falling edge to data hold time
tDh
--
3
ns
EXPCLK rising edge to WRITE assert delay time
tWRd
511
23
ns
EXPREADY setup to EXPCLK falling edge time
tEXs
--
0
ns
EXPCLK falling edge to EXPREADY hold time
tEXh
--
0
ns
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PDF描述
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