參數(shù)資料
型號： FDG6331L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： Integrated Load Switch
中文描述： BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO6
封裝： SC-70, SMT-6
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： FDG6331L
FDG6331L Rev B (W)
Typical Characteristics
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
-I
L
, (A)
-
D
,
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
O
C
V
IN
= -1.8V
V
ON/OFF
= -1.5-8V
PW = 300us, D < 2%
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
-I
L
, (A)
-
D
,
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
O
C
V
IN
= -2.5V
V
ON/OFF
= -1.5-8V
PW = 300us, D < 2%
Figure 1. Conduction Voltage Drop
Variation with Load Current.
Figure 2. Conduction Voltage Drop
Variation with Load Current.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
-I
L
, (A)
-
D
,
V
IN
= -4.5V
V
ON/OFF
= -1.5-8V
PW = 300us, D < 2%
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
1.25
2
3.5
4.25
5
-V
IN
,2.75
R
D
,
)
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
O
C
I
L
= -1A
V
ON/OFF
= 1.5 - 8V
PW = 300us, D < 2%
Figure 3. Conduction Voltage Drop
Variation with Load Current.
Figure 4. On-Resistance Variation
With Input Voltage
F
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FDG6332C 功能描述:MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FDG6332C_G 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:LOW POWER MOSFET
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