參數(shù)資料
型號(hào)： FMB3904
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN General Purpose Amplifier
中文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商： FMB3904
F
Typical Characteristics
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
V = 5V
25 °C
125 °C
- 40 °C
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
1
10
100
0
100
200
300
400
500
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
F
- 40o C
25 °C
V = 5V
125 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
β
= 10
25 °C
125 °C
- 40 °C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0.05
0.1
0.15
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
25 °C
β
= 10
125 °C
- 40 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0.1
1
10
100
500
I
V
= 30V
CB
C
Capacitance vs
Reverse Bias Voltage
0.1
1
10
100
1
2
3
4
5
10
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
C
Cobo
C bo
f = 1.0 MHz
NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
(continued)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FMB3906 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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