參數(shù)資料
型號(hào)： FMB3904
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN General Purpose Amplifier
中文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： FMB3904
F
Typical Characteristics
(continued)
Noise Figure vs Frequency
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
f - FREQUENCY (kHz)
N
V = 5.0V
I C
μ
A, RS
IC
R S
I C
μ
A
RS
IC
RS
Noise Figure vs Source Resistance
12
I C
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
R - SOURCE RESISTANCE (k
N
I C
μ
A
I C
μ
A
I C
θ
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
Current Gain and Phase Angle
vs Frequency
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
f - FREQUENCY (MHz)
h
θ
V = 40V
I = 10 mA
h
fe
f
Turn-On Time vs Collector Current
500
1
10
100
5
10
100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
T
I = I =
I
c
10
40V
15V
2.0V
t
@
V = 0V
d
t
@
V = 3.0V
r
Rise Time vs Collector Current
1
10
100
5
10
100
500
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
t
r
I = I =
I
c
10
T = 125°C
T = 25°C
V = 40V
NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
(continued)
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
P
D
SOT-6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMB3906 PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
FMB3946 NPN & PNP Complementary Dual Transistor SuperSOT-6 Surface Mount Package
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參數(shù)描述
FMB3904_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMB3906 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMB3906_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMB3946 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMB3946_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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