參數(shù)資料
型號： FMG1G100US60H
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Molding Type Module
中文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, 7PM-GA, 7 PIN
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 663K
代理商： FMG1G100US60H
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG1G100US60H Rev. A
F
6
10
100
50
100
1000
3000
Tf
Tf
Toff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 100A
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Gate Resistance, R
G
[
]
0.5
1
10
30
0
5000
10000
15000
20000
25000
30000
Cres
Coes
Cies
Common Emitter
V
GE
= 0V, f = 1MHz
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
1
10
10
100
1000
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
I
C
= 100A
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
Ton
Tr
S
Gate Resistance, R
G
[
]
20
40
60
80
100
120
140
10
100
Tr
Ton
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
R
G
= 2.4
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
S
Collector Current, I
C
[A]
1
10
100
1000
Tf
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
I
C
= 100A
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
Toff
Tf
S
Gate Resistance, R
g
[
]
1
10
1000
10000
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
I
C
= 100A
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
Eon
Eoff
S
Gate Resistance, R
G
[
]
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMG1G100US60L Molding Type Module
FMG1G50US60 Molding Type Module
FMG1G50US60H Molding Type Module
FMG1G50US60L Molding Type Module
FMG1G75US60H Molding Type Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMG1G100US60L 功能描述:IGBT 晶體管 600V/100A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMG1G150US60H 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG1G150US60L 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG1G200US60H 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG1G200US60L 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*