參數(shù)資料
型號： FMG1G100US60H
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Molding Type Module
中文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, 7PM-GA, 7 PIN
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大小： 663K
代理商： FMG1G100US60H
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG1G100US60H Rev. A
F
0
20
40
60
80
100
5
10
20
I
rr
T
rr
T
rr
Common Cathode
di/dt = 200A/
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
I
rr
P
R
Forward Current, I
F
[A]
0
1
2
3
4
0
50
100
150
200
250
300
Common Cathode
V
GE
= 0V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
F
Forward Voltage, V
F
[V]
Fig 20. Reverse Recovery Characteristics
Fig 19. Forward Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMG1G100US60L Molding Type Module
FMG1G50US60 Molding Type Module
FMG1G50US60H Molding Type Module
FMG1G50US60L Molding Type Module
FMG1G75US60H Molding Type Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMG1G100US60L 功能描述:IGBT 晶體管 600V/100A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMG1G150US60H 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG1G150US60L 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG1G200US60H 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG1G200US60L 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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