參數(shù)資料
型號： FMG1G50US60
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Molding Type Module
中文描述： 成型型模塊
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 627K
代理商： FMG1G50US60
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG1G50US60H Rev. A
F
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
1
10
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
Cres
Coes
Cies
Common Emitter
V
GE
= 0V, f = 1MHz
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
1
10
10
100
1000
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
I
C
= 50A
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
Ton
Tr
S
Gate Resistance, R
G
[
]
1
10
100
1000
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
I
C
= 50A
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
Toff
Tf
S
Gate Resistance, R
g
[
]
1
10
1000
10000
Eoff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
I
C
= 50A
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
Eon
Eoff
S
Gate Resistance, R
G
[
]
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10
100
Tr
Ton
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
R
G
= 5.9
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
S
Collector Current, I
C
[A]
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
100
1000
Tf
Toff
Toff
Tf
Collector Current, I
C
[A]
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
R
G
= 5.9
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
S
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
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PDF描述
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