參數(shù)資料
型號(hào)： FMG1G50US60
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Molding Type Module
中文描述： 成型型模塊
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 627K
代理商： FMG1G50US60
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG1G50US60H Rev. A
F
0
10
20
30
40
50
2
10
20
5
Common Cathode
di/dt = 100A/
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
I
rr
T
rr
P
R
Forward Current, I
F
[A]
Fig 20. Reverse Recovery Characteristics
Fig 19. Forward Characteristics
0
1
2
3
4
0
40
80
120
160
Common Cathode
V
GE
= 0V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
F
Forward Voltage, V
F
[V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMG1G50US60H Molding Type Module
FMG1G50US60L Molding Type Module
FMG1G75US60H Molding Type Module
FMG1G75US60L Molding Type Module
FMG2G100US60 Molding Type Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMG1G50US60H 功能描述:IGBT 晶體管 600V/50A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMG1G50US60L 功能描述:IGBT 晶體管 600V/50A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMG1G75US60H 功能描述:IGBT 晶體管 600V/75A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMG1G75US60L 功能描述:IGBT 晶體管 600V/75A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMG-2 制造商:ESSENTRA COMPONENTS 功能描述:FAN MNT GASKET COMBO BLACK 80MM
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