型號(hào): | FP10R06KL4 |
廠商: | Electronic Theatre Controls, Inc. |
英文描述: | Elektrische Eigenschaften / Electrical properties |
中文描述: | 電氣個(gè)性的/電氣特性 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/12頁(yè) |
文件大?。?/td> | 208K |
代理商: | FP10R06KL4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FP125F | 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 150 ns Recovery Time |
FP150F | 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 150 ns Recovery Time |
FP175F | 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 150 ns Recovery Time |
FP200F | 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 150 ns Recovery Time |
FP125S | 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FP10R06KL4_B3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FP10R06KL4B3V6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
FP10R06W1E3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FP10R06W1E3_B11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 10A 600V |
FP10R06YE3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |