參數(shù)資料
型號： FP10R06KL4
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
中文描述： 電氣個性的/電氣特性
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大小： 208K
代理商： FP10R06KL4
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP10R06KL4
Vorlufig
Preliminary
Schaltplan/ Circuit diagram
Gehuseabmessungen/ Package outlines
Bohrplan /
drilling layout
11(12)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FP125F 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 150 ns Recovery Time
FP150F 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 150 ns Recovery Time
FP175F 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 150 ns Recovery Time
FP200F 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 150 ns Recovery Time
FP125S 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FP10R06KL4_B3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP10R06KL4B3V6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
FP10R06W1E3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP10R06W1E3_B11 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 10A 600V
FP10R06YE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*