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參數(shù)資料
| 型號： | FP10R06KL4 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Elektrische Eigenschaften / Electrical properties |
| 中文描述： | 電氣個性的/電氣特性 |
| 文件頁數(shù)： | 12/12頁 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | FP10R06KL4 |
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP10R06KL4
Gehuseabmessungen Forts. / Package outlines contd.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Diese gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes
12(12)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FP125F | 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 150 ns Recovery Time |
| FP150F | 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 150 ns Recovery Time |
| FP175F | 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 150 ns Recovery Time |
| FP200F | 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 150 ns Recovery Time |
| FP125S | 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FP10R06KL4_B3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP10R06KL4B3V6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| FP10R06W1E3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP10R06W1E3_B11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 10A 600V |
| FP10R06YE3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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