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參數(shù)資料
| 型號： | FQB19N20C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 19 A, 200 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 876K |
| 代理商： | FQB19N20C |
Rev. A, March 2004
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Typical Characteristics
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 100V
V
DS
= 40V
V
DS
= 160V
Note : I
※
D
= 19.0A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
※
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
10
-1
10
0
10
1
150
℃
Notes :
※
1. V
GS
= 0V
2. 250μs Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
10
20
30
40
50
60
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
※
J
= 25
℃
R
D
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
※
1. V
DS
= 40V
2. 250μs Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
V
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
Notes :
※
1. 250μs Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI19N20C | 200V N-Channel MOSFET |
| FQB19N20L | 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQI19N20L | 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQB19N20 | 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQI19N20 | 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQB19N20CTM | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB19N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N_Channel MOSFET |
| FQB19N20LTM | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB19N20TM | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB1N60 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
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