參數(shù)資料
型號(hào)： FQB3N25
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V N-Channel MOSFET
中文描述： 2.8 A, 250 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： D2PAK-2
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 621K
代理商： FQB3N25
F
Rev. A, November 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
1
2
I
D
, Drain Current [A]
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
]
D
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 125V
V
DS
= 50V
V
DS
= 200V
※
Note : I
D
= 2.8 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
50
100
150
200
250
300
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
※
Notes :
1. V
DS
= 50V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
25
℃
150
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI3N25 250V N-Channel MOSFET
FQB3N30 300V N-Channel MOSFET
FQI3N30 300V N-Channel MOSFET
FQB3N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI3N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB3N25TM 功能描述:MOSFET N-CH/250V/2.8A/2.2OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB3N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
FQB3N30TM 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB3N40 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET
FQB3N40TM 功能描述:MOSFET N-CH/400V/2.5A/3.4OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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