參數(shù)資料
型號(hào)： FQB46N15
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 150V N-Channel MOSFET(漏源電壓為150V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
中文描述： 45.6 A, 150 V, 0.042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 769K
代理商： FQB46N15
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI46N15 150V N-Channel MOSFET(漏源電壓為150V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQB47P06 60V P-Channel MOSFET
FQI47P06 60V P-Channel MOSFET
FQB4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQB4N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB46N15TM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB46N15TM_AM002 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB47P06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET
FQB47P06TM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB47P06TM"AM002 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P
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