型號: | FQB50N06L |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 60V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強型MOSFET) |
中文描述: | 52.4 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
封裝: | ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
文件頁數(shù): | 8/9頁 |
文件大?。?/td> | 588K |
代理商: | FQB50N06L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FQB50N06 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FQI55N06 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FQB58N08 | 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強型MOSFET) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FQB50N06LTM | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQB50N06TM | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQB55N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
FQB55N06TM | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQB55N10 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D2-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D2-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:155W ;RoHS Compliant: Yes |