參數(shù)資料
型號(hào): FQI30N06L
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述: 32 A, 60 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝: ROHS COMPLIANT, I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù): 1/9頁(yè)
文件大?。?/td> 779K
代理商: FQI30N06L
QFET
! "
# !
! !
!!$
!
""
% &'()*+,
% 120.3
% 12.*3
%
% 0**4!
% 5!!$"
% 06.
°
78
-* *&.
/+
-0*+
! "
!
!
!
"
"
"
!!"!"
+
+
)*
+
5
2
-'.93
&'
(
2
-0**93
'' )
(
5
:
0';
±
'*
(
+
<+
+
=
:(!=
&.*
>
5
(!
&'
(
=
,!(!=
6
>
!$
:@,!!$
:2
6 *
+$
:
-'.93A
& 6.
B
:2
-'.93
6
B
"!'.9
* .&
B$9
,
..C06.
9
7
0$; .
&**
9
,
θ
,
θ
,
θ
,>
0 *
9
B
,>("A
D*
9
B
,>("
)' .
9
B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB30N06L 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQI30N06 60V N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQB30N06 60V N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQI32N12V2 120V N-Channel MOSFET
FQB32N12V2 120V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI30N06LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI32N12V2 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:120V N-Channel MOSFET
FQI32N12V2TU 功能描述:MOSFET 120V N-Ch Adv QFET V2 series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI32N20C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
FQI32N20CTU 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube