參數(shù)資料
型號： FQI30N06L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
中文描述： 32 A, 60 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： ROHS COMPLIANT, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 779K
代理商： FQI30N06L
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相關PDF資料
PDF描述
FQB30N06L 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
FQI30N06 60V N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強型MOS場效應管)
FQB30N06 60V N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強型MOS場效應管)
FQI32N12V2 120V N-Channel MOSFET
FQB32N12V2 120V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQI30N06LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI32N12V2 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:120V N-Channel MOSFET
FQI32N12V2TU 功能描述:MOSFET 120V N-Ch Adv QFET V2 series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI32N20C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
FQI32N20CTU 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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