參數(shù)資料
型號(hào)： FS75R12KE3G
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Modules
中文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 167K
代理商： FS75R12KE3G
vorlufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS75R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
min.
typ.
max.
-
260
-
ns
-
285
-
ns
-
30
-
ns
-
45
-
ns
-
420
-
ns
-
520
-
ns
-
65
-
ns
-
90
-
ns
-
1,65
2,1
V
-
1,65
t.b.d.
V
-
90
-
A
-
100
-
A
-
7
-
μC
-
14
-
μC
-
3
-
mJ
-
6
-
mJ
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 2000A/μs
Q
r
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
E
rec
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 2000A/μs
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
Sperrverzgerungsladung
recoverred charge
E
on
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V, L
σ
= 70nH
V
GE
= ±15V, R
G
= 4,7
, T
vj
= 125°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
SC data
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Kurzschlussverhalten
t
P
≤
10μsec, V
GE
≤
15V, T
vj
≤
125°C
I
SC
-
300
-
A
Abschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
21
-
nH
stray inductance module
L
σ
CE
Diode Wechselrichter / diode inverter
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
V
F
forward voltage
Modulinduktivitt
T
c
= 25°C
V
CC
= 900V, V
CEmax
= V
CES
- L
σ
CE
·di/dt
1,8
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
R
CC′/EE′
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
E
off
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V, L
σ
= 70nH
V
GE
= ±15V, R
G
= 4,7
, T
vj
= 125°C
m
-
7
-
mJ
-
mJ
-
9,5
-
t
d,off
VGE= ±15V, RG= 4,7
, Tvj= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 4,7
, T
vj
= 125°C
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V, R
G
= 4,7
, T
vj
= 25°C
VGE= ±15V, RG= 4,7
, Tvj= 125°C
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
t
f
V
GE
= ±15V, R
G
= 4,7
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 4,7
, T
vj
= 125°C
Charakteristische Werte / characteristic values
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 2000A/μs
Durchlassspannung
Einschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
Charakteristische Werte / characteristic values
-
-
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
I
F
= I
C, nom
, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
F
= I
C, nom
, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
t
d,on
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
t
r
V
GE
= ±15V, R
G
= 4,7
, T
vj
= 25°C
VGE= ±15V, RG= 4,7
, Tvj= 125°C
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
2 (8)
Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16
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