參數(shù)資料
型號： FS75R12KE3G
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Modules
中文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大小： 167K
代理商： FS75R12KE3G
vorlufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS75R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
Gehusemae / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
8 (8)
Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16
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PDF描述
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FS75R12KT3G 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS75R12KT4_B11 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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