參數(shù)資料
型號(hào)： FS75R12KE3G
廠(chǎng)商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Modules
中文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 167K
代理商： FS75R12KE3G
vorlufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS75R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
min.
typ.
max.
-
-
0,35
K/W
-
-
0,58
K/W
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
Innere Isolation
internal insulation
case, see appendix
3
300
225
6
g
weight
G
Gewicht
Innerer Wrmewiderstand; DC
thermal resistance, juncton to case; DC
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
R
thJC
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
Schraube M5
M
screw M5
CTI
°C
150
Gehuse, siehe Anlage
T
vjop
-40
-
125
-
-
°C
maximum junction temperature
power dissipation
B-Wert
B-value
R
2
= R
1
exp[B(1/T
2
- 1/T
1
)]
B
25/50
P
25
K/W
20
mW
-
3375
-
K
-
0,009
-
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand
rated resistance
T
c
= 25°C
%
T
c
= 25°C
k
Abweichung von R
100
deviation of R
100
R
25
-
Nm
°C
-
Al
2
O
3
T
stg
-40
-
125
Lagertemperatur
storage temperature
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1W/m*K /
λ
grease
= 1W/m*K
operation temperature
Betriebstemperatur
R
thCK
thermal resistance, case to heatsink
Hchstzulssige Sperrschichttemp.
übergangs Wrmewiderstand
T
vjmax
5
-
-
Verlustleistung
T
c
= 100°C, R
100
= 493
R/R
Thermische Eigenschaften / thermal properties
-5
-
-
5
3 (8)
Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16
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PDF描述
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