參數(shù)資料
型號(hào)： FSB560
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN Low Saturation Transistor
中文描述： 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 208K
代理商： FSB560
-
75
I
C
= 100 mA,V
CE
= 5 V, f=100MHz
Transition Frequency
f
T
pF
30
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1MHz
Output Capacitance
C
obo
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
V
1
I
C
= 1 A, V
CE
= 2 V
Base-Emitter On Voltage
V
BE(on)
V
1.25
I
C
= 1 A, I
B
= 100 mA
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
mV
300
350
300
I
C
= 1 A, I
B
= 100 mA
I
C
= 2 A, I
B
=200 mA
FSB560
FSB560A
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
-
300
550
70
100
250
80
40
I
C
= 100 mA, V
CE
= 2 V
I
C
=500mA, V
CE
=2V
FSB560
FSB560A
I
C
= 1 A, V
CE
= 2 V
I
C
= 2 A, V
CE
= 2 V
DC Current Gain
h
FE
ON CHARACTERISTICS
*
nA
100
V
EB
= 4V
Emitter Cutoff Current
I
EBO
nA
uA
100
10
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V, T
A
=100°C
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
5
I
E
= 100
μ
A
Emitter-Base Breakdown Voltage
BV
EBO
V
80
I
C
= 100
μ
A
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CBO
V
60
I
C
= 10 mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
CEO
OFF CHARACTERISTICS
Units
Max
Min
Test Conditions
Parameter
Symbol
NPN Low Saturation Transistor
(continued)
Electrical Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
*Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
fsb560.lwpPrNA 7/1098 RevB
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FSB560A NPN Low Saturation Transistor
FSB619 NPN Low Saturation Transistor
FSB649 NPN Low Saturation Transistor
FSB660A PNP Low Saturation Transistor(集電極電流達(dá)2A的PNP低飽和電壓晶體管)
FSB660 PNP Low Saturation Transistor(集電極電流達(dá)2A的PNP低飽和電壓晶體管)
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參數(shù)描述
FSB560_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Low Saturation Transistor
FSB560_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FSB560A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FSB560A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FSB619 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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