參數(shù)資料
型號： FSB619
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Low Saturation Transistor
中文描述： 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 27K
代理商： FSB619
July 1998
FSB619
NPN Low Saturation Transistor
These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A
continuous.
Absolute Maximum Ratings*
T
A = 25°C unless otherwise noted
°C
-55 to +150
Operating and Storage Junction Temperature Range
T
J,
T
stg
A
2
Collector Current - Continuous
I
C
V
5
Emitter-Base Voltage
V
EBO
V
50
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
50
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
Units
FSB619
Parameter
Symbol
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
°C/W
250
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
mW
mW/°C
500
4
Total Device Dissipation*
Derate above 25°C
P
D
FSB619
Units
Max
Characteristic
Symbol
Page 1 of 2
F
Discrete Power & Signal
Technologies
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT
TM
-3 (SOT-23)
C
E
B
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FSB660_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Low Saturation Transistor
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