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參數(shù)資料
| 型號： | FSBB20CH60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 運動控制電子 |
| 英文描述： | Smart Power Module |
| 中文描述： | AC MOTOR CONTROLLER, 20 A, DMA27 |
| 封裝： | MINI, DIP-27 |
| 文件頁數(shù)： | 10/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 544K |
| 代理商： | FSBB20CH60 |
10
www.fairchildsemi.com
FSBB20CH60 Rev. C
F
(with the external shunt resistance and CR connection)
c1 : Normal operation: IGBT ON and carrying current.
c2 : Short circuit current detection (SC trigger).
c3 : Hard IGBT gate interrupt.
c4 : IGBT turns OFF.
c5 : Fault output timer operation starts: The pulse width of the fault output signal is set by the external capacitor C
FO
.
c6 : Input “L” : IGBT OFF state.
c7 : Input “H”: IGBT ON state, but during the active period of fault output the IGBT doesn’t turn ON.
c8 : IGBT OFF state
Figure 8. Short-Circuit Current Protection (Low-side Operation only)
Internal IGBT
Gate-Emitter Voltage
Lower arms
control input
Output Current
Sensing Voltage
of the shunt
resistance
Fault Output Signal
SC Reference Voltage
CR circuit time
constant delay
SC
Protection
circuit state
SET
RESET
c6
c7
c3
c2
c1
c8
c4
c5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB20CH60 | Smart Power Module |
| FSBB30CH60 | Smart Power Module |
| FSBCW30 | PNP General Purpose Amplifier(PNP通用運算放大器) |
| FSBF10CH60B | Smart Power Module |
| FSBM10SH60A | 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模塊 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模塊 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSBB20CH60C | 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSBB20CH60CL | 功能描述:IGBT 模塊 20A, Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSBB20CH60CT | 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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