參數(shù)資料
型號(hào)： FSBB20CH60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 運(yùn)動(dòng)控制電子
英文描述： Smart Power Module
中文描述： AC MOTOR CONTROLLER, 20 A, DMA27
封裝： MINI, DIP-27
文件頁(yè)數(shù)： 2/16頁(yè)
文件大小： 544K
代理商： FSBB20CH60
2
www.fairchildsemi.com
FSBB20CH60 Rev. C
F
Integrated Power Functions
600V-20A IGBT inverter for three-phase DC/AC power conversion (Please refer to Figure 3)
Integrated Drive, Protection and System Control Functions
For inverter high-side IGBTs: Gate drive circuit, High voltage isolated high-speed level shifting
Control circuit under-voltage (UV) protection
Note) Available bootstrap circuit example is given in Figures 10 and 11.
For inverter low-side IGBTs: Gate drive circuit, Short circuit protection (SC)
Control supply circuit under-voltage (UV) protection
Fault signaling: Corresponding to a UV fault (Low-side supply)
Input interface: 3.3/5V CMOS/LSTTL compatible, Schmitt trigger input
Pin Configuration
Figure 2.
(21) N
U
(22) N
V
(23) N
W
(27) P
U
(25) V
(26) W
Detecting Point
DBC Substrate
(24)
Case Temperature (T
C
)
(8) C
SC
(20) V
S(W)
(19) V
B(W)
(7) C
FOD
(18) V
CC(WH)
13.7
19.2
(6) V
FO
(17) IN
(WH)
(5) IN
(WL)
(16) V
S(V)
(4) IN
(VL)
(15) V
B(V)
(1) V
(2) COM
(3) IN
(UL)
(9) IN
(UH)
(10) V
CC(UH)
(11) V
B(U)
(12) V
S(U)
(13) IN
(VH)
(14) V
CC(VH)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FSBB20CH60C 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSBB20CH60CL 功能描述:IGBT 模塊 20A, Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSBB20CH60CT 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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