參數(shù)資料
型號(hào): FZ1200R33KF2C
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類(lèi): IGBT 晶體管
英文描述: IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
中文描述: 2000 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-9
文件頁(yè)數(shù): 7/7頁(yè)
文件大小: 253K
代理商: FZ1200R33KF2C
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Technische Information / technical information
FZ1200R33KF2C
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Jürgen Biermann
approved by: Christoph Lübke
date of publication: 3/18/2003
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehuseabmessungen / package outlines
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZT458 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FZT489 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:11; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle
FZT493 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:30; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle
FZT549 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FZT558 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FZ1200R33KF2C-B5 制造商:EUPEC 制造商全稱(chēng):EUPEC 功能描述:IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R33KL2 制造商:EUPEC 制造商全稱(chēng):EUPEC 功能描述:Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KL2C 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1200R33KL2C_B5 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1200R33KL2C-B5 制造商:EUPEC 制造商全稱(chēng):EUPEC 功能描述:IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter