參數(shù)資料
型號： FZT649
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
中文描述： 3 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： FZT649
SOT223 NPN SILICON PLANAR
HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
ISSUE 4 FEBRUARY 1996
FEATURES
*
25 Volt V
CEO
*
3 Amp continuous current
*
Low saturation voltage
*
Excellent h
FE
specified up to 6A
COMPLEMENTARY TYPE
FZT749
PARTMARKING DETAIL
FZT649
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
35
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
25
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
5
V
Peak Pulse Current
I
CM
8
A
Continuous Collector Current
I
C
3
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
2
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off Current
I
CBO
TYP.
MAX.
UNIT
V
CONDITIONS.
I
C
=100
μ
A
V
(BR)CBO
35
V
(BR)CEO
25
V
I
C
=10mA*
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A
0.1
10
0.1
0.3
0.6
1.25
μ
A
μ
A
μ
A
V
V
V
V
CB
=30V
V
CB
=30V,
T
amb
=100°C
V
EB
=4V
I
C
=1A, I
B
=100mA*
I
C
=3A, I
B
=300mA*
I
C
=1A, I
B
=100mA*
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Turn-On Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
I
EBO
V
CE(sat)
0.12
0.40
0.9
V
BE(sat)
V
BE(on)
0.8
1.0
V
I
C
=1A, V
CE
=2V*
h
FE
70
100
75
15
150
200
200
150
50
240
300
I
C
=50mA, V
=2V*
I
C
=1A, V
CE
=2V*
I
C
=2A, V
CE
=2V*
I
C
=6A, V
CE
=2V*
I
=100mA, V
CE
=5V
f=100MHz
V
CB
=10V, f=1MHz
I
C
=500mA, V
CC
=10V
I
B1
=I
B2
=50mA
Transition Frequency
f
T
MHz
Output Capacitance
Switching Times
C
obo
t
on
t
off
25
55
300
50
pF
ns
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
FZT649
C
C
E
B
3 - 205
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PDF描述
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